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STPSC16H065CT

更新时间： 2024-02-22 01:07:15
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
8页 170K
描述
650 V power Schottky silicon carbide diode

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STPSC16H065CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：1.68
应用：POWER配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.75 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：69 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：650 V最大反向电流：80 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPSC16H065CT 数据手册

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STPSC16H065C  
650 V power Schottky silicon carbide diode  
Datasheet - production data  
Description  
The SiC diode is an ultrahigh performance power  
Schottky diode. It is manufactured using a silicon  
carbide substrate. The wide band-gap material  
allows the design of a Schottky diode structure  
with a 650 V rating. Due to the Schottky  
construction, no recovery is shown at turn-off and  
ringing patterns are negligible. The minimized  
capacitive charge at turn-off behavior is  
$ꢀ  
$ꢁ  
.
$ꢁ  
independent of temperature.  
.
Especially suited for use in interleaved or bridge-  
less topologies, this dual-diode rectifier will boost  
the performance in hard switching conditions. Its  
high forward surge capability ensures a good  
robustness during transient phases.  
$ꢀ  
72ꢂꢁꢁꢃ$%  
Table 1. Device summary  
Symbol  
Value  
Features  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 8 A  
650 V  
No or negligible reverse recovery  
Switching behavior independent of  
Tj (max)  
175 °C  
temperature  
High forward surge capability  
®
ECOPACK 2 compliant component  
December 2015  
DocID024810 Rev 5  
1/8  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
12345678

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