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STPSC20H065CW

更新时间： 2024-02-15 17:18:17
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
8页 111K
描述
650 V power Schottky silicon carbide diode

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STPSC20H065CW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：2.26
应用：POWER配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.75 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：650 V
最大反向电流：100 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPSC20H065CW 数据手册

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STPSC20H065C  
650 V power Schottky silicon carbide diode  
Datasheet production data  
Features  
A1 (1)  
K (2)  
■ No or negligible reverse recovery  
A2 (3)  
■ Switching behavior independent of  
temperature  
■ Dedicated to PFC applications  
■ High forward surge capability  
A2  
K
A1  
Description  
TO-220AB  
STPSC20H065CT  
The SiC diode is an ultrahigh performance power  
Schottky diode. It is manufactured using a silicon  
carbide substrate. The wide bandgap material  
allows the design of a Schottky diode structure  
with a 650 V rating. Due to the Schottky  
construction, no recovery is shown at turn-off and  
ringing patterns are negligible. The minimal  
capacitive turn-off behavior is independent of  
temperature.  
A2  
K
A1  
TO-247  
STPSC20H065CW  
Especially suited for use in PFC applications, this  
ST SiC diode will boost the performance in hard  
switching conditions. Its high forward surge  
capability ensures a good robustness during  
transient phases.  
Table 1.  
Device summary  
Symbol  
IF(AV)  
VRRM  
Value  
2 x 10 A  
650 V  
Tj (max)  
175 °C  
October 2012  
Doc ID 023605 Rev 2  
1/8  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
8
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STPSC20H065CWLY STMICROELECTRONICS

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