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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 436K |  |
| 描述 | ||
| 1200 V power Schottky silicon carbide diode | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 14 weeks | 风险等级： | 2.29 |
| 应用： | HIGH VOLTAGE POWER | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流： | 60 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 25 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 1200 V | 最大反向电流： | 60 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STPSC20H12C | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC20H12CWY | STMICROELECTRONICS |
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20 A 1200 V 碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC20H12D | STMICROELECTRONICS |
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1200 V power Schottky silicon carbide diode |
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| STPSC20H12G2-TR | STMICROELECTRONICS |
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1200V, 20A, silicon carbide power Schottky Diode |
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| STPSC20H12G-TR | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
|
| STPSC20H12WL | STMICROELECTRONICS |
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1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC20H12-Y | STMICROELECTRONICS |
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汽车用1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC2H065 | STMICROELECTRONICS |
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650 V、2 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC2H065-Y | STMICROELECTRONICS |
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汽车用650V、2 A碳化硅功率肖特基二极管 |
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| STPSC2H12 | STMICROELECTRONICS |
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1200 V 碳化硅功率肖特基二极管 |
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