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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 918 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 330 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STI18NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
13A, 600V, 0.285ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK |
|
| STU5N95K3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STI205 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
|
| STI20N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.160 Ω typ., 18 A MDmeshâ |
|
| STI20NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
19A, 650V, 0.19ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK- |
|
| STI21N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh⢠V P |
|
| STI21NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe |
|
| STI22NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh⢠II Po |
|
| STI23NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 |
|
| STI23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - |
|
| STI24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STI24NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II |
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