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STI18NM60N

更新时间： 2024-09-18 19:06:47

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
18页	981K
描述
13A, 600V, 0.285ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3

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STI18NM60N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.82	雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.285 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	110 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STI18NM60N 数据手册

STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60N

STP18NM60N, STW18NM60N

N-channel 600 V, 0.27 Ω, 13 A MDmesh™ II Power MOSFET

in TO-220, TO-220FP, TO-247, D²PAK and I²PAK

Features

V_DSS

(@Tjmax)

R_DS(on)

max.

Order codes

I_D

P_W

STB18NM60N

STF18NM60N

STI18NM60N

STP18NM60N

STW18NM60N

110 W

30 W

D²PAK

TO-247

650 V

< 0.285 Ω 13 A

110 W

I²PAK

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

TO-220FP

TO-220

Application

Figure 1.

Internal schematic diagram

Switching applications

$ꢅꢆꢇ

Description

These devices are made using the second

generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

'ꢅꢁꢇ

3ꢅꢈꢇ

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

Packaging

STB18NM60N

STF18NM60N

STI18NM60N

STP18NM60N

STW18NM60N

18NM60N

Tape and reel

Tube

TO-220FP

I²PAK

Tube

TO-220

TO-247

Tube

October 2010

Doc ID 15868 Rev 3

1/18

www.st.com

12 3 4 5 6 7...18

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STI18NM60N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STI200N6F3	STMICROELECTRONICS	类似代替	120A, 60V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PA
STU5N95K3	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3

与STI18NM60N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI19NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP
STI-2.5-250D/N	ETC	获取价格	Crimping tools and machines
STI20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
STI200	ETC	获取价格	PAPIERTUCH 230X230MM 00 Inhalt pro Packung: 200 Stk.
STI2000	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| TO-92
STI2001	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| TO-92
STI2003	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI2006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI200N6F3	STMICROELECTRONICS	获取价格	120A, 60V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PA

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