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STI23NM60ND

更新时间： 2024-11-23 06:14:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 344K
描述
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 FDmesh™ II Power MOSFET

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STI23NM60ND 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：700 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19.5 A最大漏极电流 (ID)：19.5 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：78 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STI23NM60ND 数据手册

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STB23NM60ND-STF23NM60ND  
STI23NM60ND-STP/W23NM60ND  
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247  
FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode)  
Preliminary Data  
Features  
VDSS  
Type  
RDS(on) max  
ID  
3
3
(@Tjmax  
)
2
1
1
STB23NM60ND  
STI23NM60ND  
STF23NM60ND  
STP23NM60ND  
STW23NM60ND  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
< 0.180 Ω  
< 0.180 Ω  
< 0.180 Ω  
< 0.180 Ω  
< 0.180 Ω  
20 A  
20 A  
D²PAK  
I²PAK  
20 A(1)  
3
2
1
20 A  
TO-247  
20 A  
3
3
2
2
1. Limited by wire bonding  
1
1
TO-220FP  
■ The worldwide best R  
* area amongst the  
TO-220  
DS(on)  
fast recovery diode devices  
■ 100% avalanche tested  
■ Low input capacitance and gate charge  
■ Low gate input resistance  
■ High dv/dt and avalanche capabilities  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Application  
■ Switching applications  
Description  
The FDmesh™ II series belongs to the second  
generation of MDmesh™ technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the company's strip layout  
and associates all advantages of reduced on-  
resistance and fast switching with an intrinsic fast-  
recovery body diode.It is therefore strongly  
recommended for bridge topologies, in particular  
ZVS phase-shift converters.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB23NM60ND  
STI23NM60ND  
STF23NM60ND  
STP23NM60ND  
STW23NM60ND  
23NM60ND  
23NM60ND  
23NM60ND  
23NM60ND  
23NM60ND  
D²PAK  
I²PAK  
Tape & reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
Tube  
TO-247  
Tube  
January 2008  
Rev 1  
1/15  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
15  
1234567...15

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STI23NM60ND 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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