是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.63 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 16 A |
最大漏极电流 (ID): | 16 A | 最大漏源导通电阻: | 0.22 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-262AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 64 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STB22NM60N | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh⢠II Po |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STI23NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 | |
STI23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - | |
STI24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STI24NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II | |
STI24NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO | |
STI2506 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 | |
STI25NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Powe | |
STI260N6F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET⢠| |
STI26NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2 | |
STI270N4F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET |