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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 80 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGWA50H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads pac |
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| STGWA50HP65FB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads pac |
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| STGWA50IH65DF | STMICROELECTRONICS |
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650 V、50 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT，TO-247长引线封装 |
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| STGWA50M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、50 A，低损耗 |
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| STGWA60H65DFB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| STGWA60V60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、60 A超高速沟槽栅场截止IGBT |
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| STGWA60V60DWFAG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring fre |
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| STGWA75H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads pac |
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| STGWA75M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、75 A，低损耗 |
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| STGWA80H65DFB | STMICROELECTRONICS |
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650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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