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STGWT80H65DFB PDF预览

STGWT80H65DFB

更新时间： 2023-12-20 18:45:45
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
18页 663K
描述
650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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STGWT80H65DFB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：32 weeks风险等级：2.23
最大集电极电流 (IC)：120 A集电极-发射极最大电压：650 V
门极-发射极最大电压：20 V最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：469 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STGWT80H65DFB 数据手册

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STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB  
Datasheet  
Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C  
High speed switching series  
TAB  
Minimized tail current  
3
2
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A  
Tight parameter distribution  
3
1
2
1
TO-247  
TO-3P  
Safe paralleling  
Positive VCE(sat) temperature coefficient  
Low thermal resistance  
Very fast soft recovery antiparallel diode  
Applications  
•
•
Photovoltaic inverters  
High frequency converters  
Description  
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-  
stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which  
represent an optimum compromise between conduction and switching loss to  
maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive  
VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer  
paralleling operation.  
Product status link  
STGW80H65DFB  
STGWT80H65DFB  
Product summary  
Order code  
Marking  
STGW80H65DFB  
GW80H65DFB  
TO-247  
Package  
Packing  
Tube  
Order code  
Marking  
STGWT80H65DFB  
GWT80H65DFB  
TO-3P  
Package  
Packing  
Tube  
DS9536 - Rev 9 - June 2019  
For further information contact your local STMicroelectronics sales office.  
www.st.com  
1234567...18

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