Datasheet > STGWT40H65DFB

STGWT40H65DFB

更新时间： 2023-12-20 18:46:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	490K
描述
650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STGWT40H65DFB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	32 weeks
风险等级：	2.22	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	650 V	门极-发射极最大电压：	20 V
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	283 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STGWT40H65DFB 数据手册

STGWT40H65DFB

Datasheet

Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

Features

TAB

•

Maximum junction temperature: T_J= 175 °C

High speed switching series

Minimized tail current

Low saturation voltage: V_CE(sat)= 1.6 V (typ.) @ I_C= 40 A

Tight parameter distribution

TO-3P

Safe paralleling

Positive V_CE(sat)temperature coefficient

Low thermal resistance

Very fast soft recovery antiparallel diode

Applications

•

Photovoltaic inverters

High frequency converters

Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-

stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an

optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the

efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive V_CE(sat)

temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling

operation.

Product status link

STGWT40H65DFB

Product summary

Order code

Marking

STGWT40H65DFB

GWT40H65DFB

TO-3P

Package

Packing

Tube

DS11705 - Rev 2 - June 2019

For further information contact your local STMicroelectronics sales office.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与STGWT40H65DFB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STGWT40HP65FB	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGWT60H65DFB	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGWT60H65FB	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGWT80H65DFB	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGY40NC60V	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH?? IGBT
STGY40NC60VD	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH?? IGBT
STGY50NB60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NC60WD	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT
STGYA120M65DF2	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、120 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT