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SST12LF03

更新时间： 2024-09-20 07:08:03

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2.4 GHz 高增益及高效率前端模块

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SST12LF03 数据手册

2.4 GHz 高增益及高效率前端模块

SST12LF03

A Microchip Technology Company

产品简介

SST12LF03 是适用于 WLAN 802.11b/g/n 和 Bluetooth^®系统的全集成前端模块（Front-End

Module，FEM）。SST12LF03 RF 模块包括一个功率放大器（Power Amplifier，PA）、

一个低噪声放大器（Low-Noise Amplifier， LNA）和一个天线开关，是需要小尺寸和高

性能的 WLAN/BT 嵌入式应用的理想选择。SST12LF03 基于 GaAs PHEMT/HBT 技

术，其工作频率范围为 2.4 至 2.5 GHz，直流电流消耗极低。发送器链路具有良好的线

性度，对于输出功率最高为 19 dBm 的 54 Mbps 802.11g 操作，增加的 EVM 通常为

3%，同时满足 22 dBm 时的 802.11b 频谱模板。接收器链路提供一个低噪声放大器，

并允许 WLAN 和蓝牙操作同时进行。 SST12LF03 提供 20 触点 UQFN 封装。

蓝牙路径：

特性

• 损失典型值为 2.5 dB

• 输入/输出端口内部匹配 50 且直流去耦

• BT/WLAN 同时 Rx 模式

• 可用封装

– 8 dB 增益

– 3.1 dB 噪声系数

– 20 触点 UQFN——3 mm x 3 mm x 0.55 mm

• 所有无铅器件均符合 RoHS 标准

应用

发送器链路：

• WLAN （IEEE 802.11b/g/n）

• 高增益

• 家用 RF

– 对于发送器，在 -20°C 至 +85°C 的温度范围内，

从 2.4 GHz 到 2.5 GHz 的增益典型值为 28 dB。

• 无绳电话

• 高线性输出功率（3.3V 时）

• 2.4 GHz ISM 无线设备

• Zigbee^®

– 功率高达 21 dBm 的时候仍满足 802.11g OFDM ACPR

的要求

– 对于功率最高为 19 dBm 的 54 Mbps 802.11g 信号，增加

• Bluetooth^®

的 EVM 为 3%

– 功率高达 22 dBm 的时候仍满足 802.11b ACPR 的要求

• 高功率附加效率 / 低工作电流，适合 802.11b/g/n 应用

– 对于 802.11b/g 应用， P_OUT= 22 dBm 时约为 25%

框图

• 低关断电流（约 2 µA）

• 随温度变化有限

V_DETPA_ENV_CC

– -20°C 至 +85°C 之间的功率变化约为 1 dB

– -20°C 至 +85°C 之间的增益变化约为 2 dB

TX_IN

CRX

• 对温度和负载不敏感的片上功率检测器

– >20 dB 动态范围、温度稳定的片上功率检测

CTX

໽㒓

接收器链路：

WLAN RX_OUT

• LNA 开启

– 增益典型值为 12 dB

– 3.1 dB 噪声系数

– >5 dB P1dB

CBT CBTR

V_DD

12LF03-BlockDiagram

www.microchip.com

DS75028A_CN

04/12

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与SST12LF03相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SST12LF09-Q3CE-K	MICROCHIP	获取价格	2.4 GHz High-Gain, High-Efficiency Front-end Module
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SST12LN01	MICROCHIP	获取价格	2.4-2.5 GHz WLAN Low-Noise Amplifier
SST12LN01-QU6E	MICROCHIP	获取价格	2.4-2.5 GHz WLAN Low-Noise Amplifier
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SST12LN01-QU6F	MICROCHIP	获取价格	2400 MHz - 2500 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER, 3 X 1.60 MM, ROHS COMPLI
SST12LN01-QU6F-K	SST	获取价格	2.4-2.5 GHz Low-Noise Amplifier

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