5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM6P54TU,LF
SSM6P54TU,LF PDF预览

SSM6P54TU,LF

更新时间： 2024-11-09 13:14:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

SSM6P54TU,LF 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.71Base Number Matches：1

SSM6P54TU,LF 数据手册

 浏览型号SSM6P54TU,LF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSM6P54TU,LF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSM6P54TU,LF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSM6P54TU,LF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SSM6P54TU,LF的Datasheet PDF文件第6页 
SSM6P54TU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type  
SSM6P54TU  
○High-Speed Switching Applications  
Unit : mm  
○Power Management Switch Applications  
2.1±0.1  
1.7±0.1  
•
•
1.5 V drive  
Suitable for high-density mounting due to compact package  
•
Low on-resistance : R = 228 mΩ (max) (@ V  
= -2.5 V)  
= -1.8 V)  
= -1.5 V)  
on  
GS  
: R = 350 mΩ (max) (@ V  
on  
GS  
1
2
6
5
: R = 555 mΩ (max) (@ V  
on  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
-20  
Unit  
V
4
3
V
DS  
Gate-Source voltage  
V
± 8  
V
GSS  
DC  
I
-1.2  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
-2.4  
DP  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
P (Note 1)  
500  
mW  
°C  
D
1.Sorce1  
2.Gate1  
3.Drain2  
4.Source 2  
5.Gate2  
6.Drain1  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 ~ 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
UF6  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure  
rate, etc).  
TOSHIBA  
2-2T1B  
Weight: 7.0 mg (typ.)  
Note 1: Mounted on an FR4 board.  
2
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm )  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
−20  
−12  
⎯
Typ.  
⎯
Max  
⎯
Unit  
V
V
V
I
I
= −1 mA, V  
= −1 mA, V  
= 0  
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
GS  
Drain-Source breakdown voltage  
= +8 V  
⎯
⎯
Drain cut-off current  
I
V
V
V
V
= −20 V, V  
= 0  
⎯
−10  
± 1  
−1.0  
⎯
μA  
μA  
V
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
Gate leakage current  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
I
= ± 8 V, V  
= 0  
⎯
⎯
GSS  
V
= −3 V, I = −1 mA  
−0.3  
1.7  
⎯
⎯
th  
D
|Y |  
fs  
= -3 V, I = -0.6 A  
(Note 2)  
(Note 2)  
(Note 2)  
(Note 2)  
3.4  
162  
212  
249  
331  
48  
S
D
I
I
I
= -0.6 A, V  
= -0.6 A, V  
= -0.1 A, V  
= -2.5 V  
= -1.8 V  
= -1.5 V  
228  
350  
555  
⎯
D
D
D
GS  
GS  
GS  
Drain-Source on-resistance  
R
mΩ  
⎯
DS (ON)  
⎯
Input capacitance  
C
⎯
iss  
V
= −10 V, V  
= 0  
GS  
DS  
pF  
ns  
Output capacitance  
C
⎯
⎯
oss  
f = 1 MHz  
Reverse transfer capacitance  
C
⎯
39  
⎯
rss  
on  
Turn-on time  
Switching time  
t
t
⎯
19  
18  
⎯
V
V
= −10 V, I = −0.6 A  
D
DD  
GS  
= 0 ~ −2.5 V, R = 4.7 Ω  
G
Turn-off time  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
off  
Total gate charge  
Q
g
7.7  
4.9  
2.8  
V
V
= −16 V, I  
= − 4 V  
= -1.2 A,  
DS  
DS  
GS  
nC  
V
Gate-Source charge  
Gate-Drain charge  
Q
Q
gs  
gd  
Drain-Source forward voltage  
V
I
= 1.2 A, V = 0  
GS  
(Note 2)  
0.8  
1.2  
⎯
DSF  
D
Note 2:  
Pulse test  
1
2007-11-01  
123456

中文翻译

下载PDF

与SSM6P54TU,LF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6P56FE TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
SSM6P69NU TOSHIBA

获取价格

 		P-ch x 2 MOSFET, -20 V, -4.0 A, 0.045 Ω@10V,
SSM6P816R TOSHIBA

获取价格

 		P-ch x 2 MOSFET, -20 V, -6 A, 0.0301 Ω@4.5V,
SSM7002DGU SSC

获取价格

 		Dual N-channel Enhancement-mode Power MOSFETs
SSM7002EGU SSC

获取价格

 		N-channel Enhancement-mode Power MOSFET
SSM7002KGEN SSC

获取价格

 		N-channel Enhancement-mode Power MOSFET
SSM70T03GH SSC

获取价格

 		N-channel Enhancement-mode Power MOSFET
SSM70T03GJ SSC

获取价格

 		N-channel Enhancement-mode Power MOSFET
SSM70T03H ETC

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET
SSM70T03J ETC

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET

与SSM6P54TU,LF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证