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SIGC185T350R2CH

更新时间： 2024-10-26 20:05:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	70K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3500V V(BR)CES, N-Channel, DIE

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SIGC185T350R2CH 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	3500 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5.9 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	S-XUUC-N	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	3030 ns	标称接通时间 (ton)：	1150 ns
Base Number Matches：	1

SIGC185T350R2CH 数据手册

Preliminary

SIGC185T350R2CH

IGBT Chip in Field stop-technology

FEATURES:

3500V Field stop technology

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

power modul

integrated gate resistor

Applications:

traction drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

Q67050-A4159-

A001

SIGC185T350R2CH

3500V 50A

13.6 x 13.6

sawn on foil

MECHANICAL PARAMTER:

Raster size

13.6 x 13.6

8 x ( 4 x 2.4 )

0.8 x 1.5

185 / 105.2

375

Emitter pad size

Gate pad size

Area total / active

Thickness

mm²

µm

Wafer size

150

deg

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metalization

67 pcs

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metalization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Æ 0.65mm

Reject Ink Dot Size

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7311M, Edition 1, 10.06.02

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