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SIGC186T170R3E

更新时间： 2024-11-21 20:53:19

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英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
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描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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SIGC186T170R3E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N9	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N9
元件数量：	1	端子数量：	9
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIGC186T170R3E 数据手册

SIGC186T170R3E

IGBT3 Power Chip

Features:

This chip is used for:

power modules

•

1700V Trench & Field Stop technology

low turn-off losses

•

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

•

drives

Chip Type

V_CE

I_C

Die Size

Package

SIGC186T170R3E 1700V 150A 13.63 x 13.63 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameters

Raster size

13.63 x 13.63

8 x ( 5.62 x 2.71 )

1.12 x 1.12

185.8

Emitter pad size (incl. gate pad)

Gate pad size

mm²

Area total

Thickness

190

µm

Wafer size

200

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

137

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

Recommended storage environment

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L7791T, Edition 2.1, 14.04.2010

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