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SIGC185T170R2CX1SA3

更新时间： 2024-10-26 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	66K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 13.56 X 13.56 MM, DIE-10

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SIGC185T170R2CX1SA3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	13.56 X 13.56 MM, DIE-10
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N10	元件数量：	1
端子数量：	10	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	830 ns	标称接通时间 (ton)：	200 ns
Base Number Matches：	1

SIGC185T170R2CX1SA3 数据手册

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SIGC185T170R2C

IGBT Chip in NPT-technology

Features:

Recommended for:

 chip only



1700V NPT technology

280µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

Qualified according to JEDEC for target

applications

Applications:



drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

SIGC185T170R2C 1700V 100A 13.56 x 13.56 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameters

Die size

13.56 x 13.56

See chip drawing

0.757 x 1.48

183.87

Emitter pad size (incl. gate pad)

Gate pad size

mm²

Area total

Thickness

280

µm

Wafer size

150

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

Electrically conductive epoxy glue and soft solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

 0.65mm ; max 1.2mm

for original and

sealed MBB bags

Ambient atmosphere air, Temperature 17°C – 25°C,

< 6 month

Storage environment

Acc. to IEC62258-3: Atmosphere >99% Nitrogen or inert gas,

Humidity <25%RH, Temperature 17°C – 25°C, < 6 month

for open MBB bags

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7371M, Edition 2.2, 15.05.2013

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与SIGC185T170R2CX1SA3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SIGC18T60SN	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
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