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SI7664DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-15 19:37:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 147K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI7664DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.82
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

SI7664DP-T1-GE3 数据手册

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Si7664DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
Halogen-free available  
TrenchFET® Power MOSFET  
PWM Optimized  
New Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with  
Low 1.07 mm Profile  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
40  
RoHS  
0.0031 at VGS = 10 V  
0.0036 at VGS = 4.5 V  
COMPLIANT  
30  
37 nC  
40  
PowerPAK SO-8  
•
100 % Rg, Capacitance and UIS Tested  
APPLICATIONS  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
•
Synchronous - Low Side  
- Notebook  
S
D
2
S
3
G
4
- Server  
- Workstation  
D
8
D
7
D
G
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information: Si7664DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7664DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
12  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
40  
32  
31b, c  
25b, c  
70  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
40  
4.9b, c  
40  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
80  
83  
53  
5.4b, c  
3.4b, c  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
18  
23  
°C/W  
RthJC  
Steady State  
1.0  
1.5  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile ( http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
Document Number: 73566  
S-80438-Rev. B, 03-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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SI7664DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SIR164DP-T1-GE3 VISHAY

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SI7668DP-T1-E3 VISHAY

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