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SI7738DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-06 19:50:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 316K
描述
MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC

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SI7738DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：7.7 A
最大漏源导通电阻：0.038 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：96 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7738DP-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si7738DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % UIS Tested  
0.038 at VGS = 10 V  
150  
30  
35 nC  
•
•
PowerPAK® SO-8  
APPLICATIONS  
•
Primary Side Switch  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
D
S
2
S
3
G
4
D
8
D
7
G
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7738DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7738DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
150  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
V
30a  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
T
26  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
7.7b, c  
6.2b, c  
60  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
30a  
4.5b, c  
30  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
45  
TC = 25 °C  
96  
62  
5.4b, c  
3.5b, c  
T
C = 70 °C  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJA  
RthJC  
t ≤ 10 s  
Steady State  
18  
1
23  
°C/W  
1.3  
Notes:  
a. Package limited  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
Document Number: 69982  
S09-0536-Rev. C, 06-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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