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SI7780DP-T1-GE3 PDF预览

SI7780DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 20:10:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 95K
描述
TRANSISTOR 60 A, 40 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7780DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：125 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7780DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si7780DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
Halogen-free  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, g  
RoHS  
0.0055 at VGS = 10 V  
40  
60  
36 nC  
COMPLIANT  
100 % UIS Tested  
PowerPAK SO-8  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
D
1
S
2
S
3
G
4
D
8
D
G
7
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7780DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
60g  
T
C = 25 °C  
60g  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
23.3b, c  
18.5b, c  
80  
60g  
4.5b, c  
50  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
125  
83  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
53  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.4b, c  
3.4b, c  
T
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
18  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
23  
°C/W  
1.0  
1.5  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed  
and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
g. Package limited.  
Document Number: 68743  
S-81471-Rev. A, 23-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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