5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI7686DP
SI7686DP PDF预览

SI7686DP

更新时间： 2024-09-15 03:32:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 110K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7686DP 数据手册

 浏览型号SI7686DP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7686DP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7686DP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI7686DP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI7686DP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI7686DP的Datasheet PDF文件第7页 
Si7686DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
ꢀ TrenchFETꢁ Power MOSFET  
ꢀ New Low Thermal Resistance PowerPAK  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
Qg (Typ)  
ꢁ
Package  
with Low 1.07mm Profile  
ꢀ Optimized for High-Side Synchronous Rectifier  
Operation  
RoHS  
0.0095 @ V = 10 V  
35  
35  
GS  
COMPLIANT  
30  
9.2 nC  
0.014 @ V = 4.5 V  
GS  
ꢀ
1
0
0
%
R
T
e
s
t
e
d
g
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
ꢀ
D
C
/
D
C
C
o
n
v
e
r
t
e
r
s
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
D
5
S
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si7686DP-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25ꢂC UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
GS  
V
V
"20  
a
T
T
= 25ꢂC  
= 70ꢂC  
= 25ꢂC  
= 70ꢂC  
35  
C
a
35  
C
Continuous Drain Current (T = 150ꢂC)  
I
D
J
b, c  
T
A
17.9  
b, c  
T
A
14.3  
A
Pulsed Drain Current  
I
50  
DM  
T
= 25ꢂC  
= 25ꢂC  
= 25ꢂC  
= 70ꢂC  
= 25ꢂC  
= 70ꢂC  
31.5  
b, c  
4.2  
C
Continuous Source-Drain Diode Current  
I
S
T
A
T
C
T
C
37.9  
24.2  
b, c  
5
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
b, c  
3.2  
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
260  
J
stg  
ꢂ
C
d, e  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
b, f  
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
21  
25  
t p 10 sec  
ꢂ
C
/
W
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Steady State  
R
thJC  
2.8  
3.3  
Notes:  
a. Package Limited.  
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.  
c. t = 10 sec  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure  
adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f.  
Maximum under steady state conditions is 70 ꢂC/W.  
Document Number: 73451  
S–51334—Rev. A, 25-Jul-05  
www.vishay.com  
1
1234567

中文翻译

下载PDF

与SI7686DP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7686DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7686DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI7703EDN VISHAY

获取价格

 		Single P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI7703EDN_08 VISHAY

获取价格

 		Single P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI7703EDN-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4.3 A, 20 V, 0.048 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G
SI7703EDN-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SI7703EDN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		SINGLE P-CH 20V (D-S) MOSFET+SCHOTTKY - Tape and Reel
SI7705DN VISHAY

获取价格

 		Single P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI7705DN-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4.3 A, 20 V, 0.048 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G
SI7705DN-T1 VISHAY

获取价格

 		Transistor

与SI7686DP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证