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SI7686DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-05 21:19:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	303K
描述
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI7686DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.76
雪崩能效等级（Eas）：	5 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	17.9 A
最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	37.9 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7686DP-T1-GE3 数据手册

Si7686DP

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free available

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

• TrenchFET^®Power MOSFET

RoHS

New Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package with Low 1.07 mm Profile

Optimized for High-Side Synchronous Rectifier

Operation

100 % R_gTested

0.0095 at V_GS= 10 V

0.014 at V_GS= 4.5 V

•

COMPLIANT

9.2 nC

PowerPAK SO-8

APPLICATIONS

DC/DC Converters

6.15 mm

5.15 mm

•

Bottom View

Ordering Information: Si7686DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7686DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Limit

Unit

V_GS

35^a

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

35^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

17.9^{b, c}

14.3^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

_C= 25 °C

_A= 25 °C

31.5

4.2^{b, c}

Continuous Source-Drain Diode Current

I_AS

Single Pulse Avalanche Current

Avalanche Energy

L = 0.1 mH

E_AS

_C= 25 °C

_C= 70 °C

_A= 25 °C

37.9

24.2

5^{b, c}

3.2^{b, c}

P_D

Maximum Power Dissipation

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

R_thJA

t ≤ 10 s

Steady State

°C/W

R_thJC

2.8

3.3

Notes:

a. Package Limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 70 °C/W.

Document Number: 73451

S-80440-Rev. C, 03-Mar-08

www.vishay.com

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