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SI7703EDN-E3

更新时间： 2024-09-15 21:21:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 54K
描述
TRANSISTOR 4.3 A, 20 V, 0.048 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power

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SI7703EDN-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：4.3 A
最大漏源导通电阻：0.048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7703EDN-E3 数据手册

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Si7703EDN  
Vishay Siliconix  
New Product  
Single P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode  
FEATURES  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS: 1.8-V Rated  
D ESD Protected: 4500 V  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Ultra-Low Thermal Resistance, PowerPAKt  
0.048 @ V = –4.5 V  
GS  
–6.3  
–5.3  
–4.6  
Package with Low 1.07-mm Profile  
0.068 @ V = –2.5 V  
GS  
–20  
APPLICATIONS  
0.090 @ V = –1.8 V  
GS  
D Charger Switching  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
Vf (V)  
VKA (V)  
IF (A)  
Diode Forward Voltage  
20  
0.48 V @ 0.5 A  
1.0  
PowerPAKt 1212-8  
S
K
A
3.30 mm  
3.30 mm  
1
A
2
S
3
G
4
G
K
8
3 kW  
K
7
D
6
D
5
D
A
P-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 sec  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET and Schottky)  
Reverse Voltage (Schottky)  
V
–20  
20  
DS  
V
KA  
V
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
V
GS  
"12  
"12  
T
= 25_C  
= 85_C  
–4.3  
–3.1  
–6.3  
–4.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C) (MOSFET)  
I
J
D
T
A
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
I
I
–20  
DM  
A
a
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
Average Foward Current (Schottky)  
I
S
–2.3  
–1.1  
I
1.0  
7
F
Pulsed Foward Current (Schottky)  
FM  
T
= 25_C  
= 85_C  
= 25_C  
= 85_C  
2.8  
1.5  
2.0  
1.0  
1.3  
0.7  
1.1  
0.6  
A
a
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
T
A
P
W
D
T
A
a
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
_C  
stg  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.  
Document Number: 71429  
S-03709—Rev. A, 14-May-01  
www.vishay.com  
1
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与SI7703EDN-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7703EDN-T1-E3 VISHAY

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 		Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SI7703EDN-T1-GE3 VISHAY

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 		SINGLE P-CH 20V (D-S) MOSFET+SCHOTTKY - Tape and Reel
SI7705DN VISHAY

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 		Single P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI7705DN-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4.3 A, 20 V, 0.048 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G
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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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