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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7682DP-T1-E3
SI7682DP-T1-E3 PDF预览

SI7682DP-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 154K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI7682DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17.5 A最大漏极电流 (ID)：17.5 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：27.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7682DP-T1-E3 数据手册

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Si7682DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
20  
Available  
0.0090 at VGS = 10 V  
0.0130 at VGS = 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
30  
11 nC  
20  
APPLICATIONS  
PowerPAK SO-8  
•
High-Side DC/DC Conversion  
- Notebook  
- Server  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
D
S
2
S
3
G
4
D
8
D
G
7
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7682DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
N-Channel MOSFET  
Si7682DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
20  
15.5  
17.5b, c  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
14.0b, c  
50  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
20  
4.5b, c  
27.5  
Continuous Source-Drain Diode Current  
17.5  
5b, c  
3.2b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
20  
25  
°C/W  
RthJC  
3.5  
4.5  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 70 °C/W.  
Document Number: 73350  
S09-0272-Rev. B, 16-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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与SI7682DP-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7682DP-T1-GE3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7684DP-T1-GE3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SI7686DP VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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