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SI7668ADP-T1-GE3 PDF预览

SI7668ADP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-05 20:03:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 184K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERPAK, SOP-8

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SI7668ADP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：125 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.003 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7668ADP-T1-GE3 数据手册

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Si7668ADP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
• TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
40  
0.003 at VGS = 10 V  
0.0034 at VGS = 4.5 V  
30  
52 nC  
32  
•
APPLICATIONS  
•
Low-Side DC/DC Comversion  
- Notebook, Server, VRM Module  
PowerPAK® SO-8  
•
Fixed Telecom  
S
D
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
D
8
G
D
7
D
6
D
5
S
Bottom View  
Ordering Information: Si7668ADP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7668ADP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
12  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
40  
32  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
31b, c  
TA = 25 °C  
25b, c  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
70  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
40  
Continuous Source-Drain Diode Current  
4.3b, c  
50  
IAS  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
Single-Pulse Avalanche Energy  
125  
83  
mJ  
W
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
53  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.4b, c  
T
3.4b, c  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
°C  
Notes:  
a. Based on TC = 70 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 73326  
S-83053-Rev. B, 29-Dec-08  
www.vishay.com  
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与SI7668ADP-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7668DP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 18 A, 30 V, 0.0032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, POWERPAK, SOP-
SI7674DP

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7674DP-T1-GE3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor,
SI7678DP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 14.5 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPA
SI7682DP VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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