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SIR164DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 20:05:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 879K
描述
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

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SIR164DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.75
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：33.3 A
最大漏源导通电阻：0.0025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-C5JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIR164DP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiR164DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, e  
50  
TrenchFET® Gen III Power MOSFET  
New MOSFET Technology Optimized for  
Ringing Reduction in Switching Application  
100 % Rg and UIS Tested  
0.0025 at VGS = 10 V  
0.0032 at VGS = 4.5 V  
PowerPAK SO-8  
•
•
30  
40.6 nC  
50  
•
•
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
APPLICATIONS  
S
2
S
•
DC/DC  
3
G
4
•
Notebook CPU Core  
D
8
G
D
7
D
6
D
5
S
Bottom View  
Ordering Information: SiR164DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
30  
Unit  
V
VGS  
20  
50e  
T
C = 25 °C  
50e  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
33.3b, c  
26.5b, c  
70  
50e  
4.7b, c  
40  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
80  
69  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
44.4  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.2b, c  
3.3b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)f, g  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
19  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
24  
°C/W  
1.2  
1.8  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
e. Package limited.  
f. See Solder Profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
g. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 64827  
S09-0701-Rev. A, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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