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SI7451DP

更新时间： 2024-01-16 15:54:49

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威世 - VISHAY		/
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6页	50K
描述
Transistor

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SI7451DP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI7451DP 数据手册

Si7451DP

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D New Low Thermal Resistance PowerPAKt

Package with Low 1.07-mm Profile

-30

0.005 @ V

= -10 V

-25

APPLICATIONS

D Battery and Load Switching

- Notebook Computers

- Notebook Battery Packs

PowerPAKt SO-8

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"25

= 25_C

= 70_C

-15

-12

-25

Continuous Drain Current (T = 150_C)

- 20

Pulsed Drain Current

-60

continuous Source Current (Diode Conduction)

-4.5

5.4

3.4

-1.6

1.9

1.2

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.5

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71942

S-21791—Rev. B, 07-Oct-02

www.vishay.com

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