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SI7380DP-T1 PDF预览

SI7380DP-T1

更新时间： 2024-11-02 19:36:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 81K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.00325ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI7380DP-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.33外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.00325 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7380DP-T1 数据手册

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Si7380DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D PWM Optimized  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKr Package with  
PRODUCT SUMMARY  
Low 1.07-mm Profile  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
APPLICATIONS  
0.00325 @ V = 10 V  
29  
25  
GS  
30  
D DC/DC Converters  
0.004 @ V = 4.5 V  
GS  
–
Low-Side MOSFET in Synchronous Buck in Desktops  
D Secondary Synchronous Rectifier  
PowerPAK SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
D
5
Ordering Information: Si7380DP-T1  
S
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
GS  
V
V
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
29  
25  
18  
14  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
60  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
4.5  
5.4  
3.4  
1.6  
1.9  
1.2  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
18  
50  
23  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.0  
1.5  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72025  
S-21779—Rev. A, 07-Oct-02  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7382DP-T1-GE3 VISHAY

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SI7384DP-T1-GE3 VISHAY

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