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SI7390DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-02 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 367K
描述
N-CH 30-V (D-S), FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel

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SI7390DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7390DP-T1-GE3 数据手册

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Si7390DP  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
PowerPAK® SO-8 Single  
D
• Extremely low Qgd for low switching losses  
• TrenchFET® power MOSFET  
• New low thermal resistance PowerPAK®  
package with low 1.07 mm profile  
D
7
8
D
6
D
5
Available  
• 100 % Rg tested  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
1
S
2
S
3
4
G
S
1
APPLICATIONS  
Top View  
Bottom View  
D
• High-side DC/DC conversion  
- Notebook  
- Server  
- Workstation  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
G
30  
0.0095  
0.0135  
10  
• Point-of-load conversion  
R
DS(on) max. () at VGS = 10 V  
DS(on) max. () at VGS = 4.5 V  
R
S
Qg typ. (nC)  
D (A)  
Configuration  
N-Channel MOSFET  
I
15  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK SO-8  
Si7390DP-T1-E3  
Si7390DP-T1-GE3  
Lead (Pb)-free  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
10 s  
STEADY STATE  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
30  
30  
20  
9
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
15  
Continuous drain current (TJ = 150 °C) a  
ID  
12  
7
A
Pulsed drain current  
Continuous source current (diode conduction) a  
IDM  
IS  
50  
4.1  
5
1.5  
1.8  
1.1  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum power dissipation a  
PD  
W
3.2  
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) b, c  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
t 10 s  
20  
53  
25  
70  
Maximum junction-to-ambient (MOSFET) a  
Steady state  
Steady state  
°C/W  
Maximum junction-to-case (drain)  
RthJC  
2.1  
3.2  
Notes  
a. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board  
b. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection  
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components  
S17-1748-Rev. F, 27-Nov-17  
Document Number: 72214  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...12

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