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SI7401DN-E3 PDF预览

SI7401DN-E3

更新时间： 2024-11-02 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7401DN-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：0.021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7401DN-E3 数据手册

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Si7401DN  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS: 1.8-V Rated  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D New PowerPAKt Package  
– Low Thermal Resistance, RthJC  
– Low 1.07-mm Profile  
0.021 @ V = –4.5 V  
–11  
–9.8  
–8.9  
GS  
–20  
0.028 @ V = –2.5  
V
V
GS  
APPLICATIONS  
0.034 @ V = –1.8  
GS  
D Load/Power Switching In Cell Phones and Pagers  
D PA Switch for Cellular Devices  
D Battery Operated Systems  
S
S S  
PowerPAKt 1212-8  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
P-Channel MOSFET  
D
6
D
5
Bottom View  
D
D
D D  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
–20  
DS  
V
"8  
GS  
T
= 25_C  
= 85_C  
–7.3  
–5.2  
–11  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
–8.2  
A
Pulsed Drain Current  
I
–30  
DM  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
–3.2  
3.8  
–1.3  
1.5  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
2.0  
0.8  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
26  
65  
33  
81  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case  
1.9  
2.4  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71423  
S-03311—Rev. A, 26-Mar-01  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7401DN-RC VISHAY

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 		R-C Thermal Model Parameters
SI7401DN-T1 VISHAY

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 		Transistor
SI7401DN-T1-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI7402DN VISHAY

获取价格

 		N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7402DN-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7403BDN VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7403DN VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7404DN VISHAY

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