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SI7411DN-T1-E3

更新时间： 2024-01-10 13:04:09

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
5页	57K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7411DN-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A
最大漏极电流 (ID)：	7.5 A	最大漏源导通电阻：	0.019 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XDSO-C5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI7411DN-T1-E3 数据手册

Si7411DN

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V Rated

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D New PowerPAKr Package

− Low Thermal Resistance, R_thJC

− Low 1.07-mm Profile

0.019 @ V = −4.5 V

−11.4

−9.9

−8.5

−20

0.025 @ V = −2.5

APPLICATIONS

0.034 @ V = −1.8

D Load Switch

PowerPAKr 1212-8

3.30 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7411DN-T1—E3

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−20

= 25_C

= 85_C

−7.5

−5.4

−11.4

−8.2

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−30

continuous Source Current (Diode Conduction)

−3

3.6

1.9

−1.3

1.5

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

0.8

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Case

2.9

3.8

thJC

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72399

S-40763—Rev. C, 19-Apr-04

www.vishay.com

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