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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.21 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7421DN-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI7423DN | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7423DN-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7425DN | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SI7425DN-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SI7425DN-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI742DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7430DP | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) WFET |
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| SI7430DP |
获取价格 |
N-Channel 150 V (D-S) MOSFET |
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| SI7430DP_07 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
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