5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7434DP-T1-E3
SI7434DP-T1-E3 PDF预览

SI7434DP-T1-E3

更新时间： 2024-02-02 01:23:21
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
N-CHANNEL 250-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7434DP-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.55
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：8.4 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.155 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7434DP-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI7434DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7434DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7434DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI7434DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页 
Si7434DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D PWM-OptimizedTrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 100% Rg Tested  
D Avalanche Tested  
APPLICATIONS  
0.155 @ V = 10 V  
GS  
3.8  
3.7  
250  
0.162 @ V = 6 V  
GS  
D Primary Side Switch In:  
− Telecom Power Supplies  
− Distributed Power Architectures  
− Miniature Power Modules  
PowerPAK SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
D
G
8
D
7
D
6
D
5
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si7434DP-T1—E3  
Creepage Clearance: 30 mils  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
250  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
3.8  
3.0  
2.3  
1.8  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
D
J
T
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
A
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Avalanche Current  
I
4.3  
1.6  
S
L = 0.1 mH  
I
AS  
13  
Single Pulse Avalanche Energy  
E
8.4  
mJ  
AS  
T
= 25_C  
= 70_C  
5.2  
3.3  
1.9  
1.2  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
19  
52  
24  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.5  
1.8  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72579  
S-32408—Rev. A, 24-Nov-03  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与SI7434DP-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7434DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7436DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 24.5 A, 30 V, 0.0062 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gen
SI7439DP VISHAY

获取价格

 		P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7439DP_05 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7439DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7439DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7440DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7440DP-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 12 A, 30 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7440DP-T1 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7440DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK SO T/R

与SI7434DP-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证