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SI7446BDP-T1-GE3

更新时间： 2024-01-12 08:12:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	162K
描述
12A, 30V, 0.0075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

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SI7446BDP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	4.8 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI7446BDP-T1-GE3 数据手册

Si7446BDP

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

0.0075 at V_GS= 10 V

0.010 at V_GS= 4.5 V

•

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

PowerPAK^®SO-8

6.15 mm

5.15 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

Ordering Information:

Si7446BDP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7446BDP-T1-GE3 (Lead-(Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_A= 25°C

T_A= 70°C

Continuous Drain Current (T_J= 150°C)^a

I_D

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

I_DM

I_S

4.0

4.8

3.0

1.6

1.9

1.2

T_A= 25°C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

_A= 70°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

R_thJC

1.6

2.0

Notes

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 72554

S09-1819-Rev. E, 14-Sep-09

www.vishay.com

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SI7446DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 12 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, POWERPAK, SOP-
SI7447ADP	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7447ADP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 21.5 A, 30 V, 0.0065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPA
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