生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.82 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 13.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-C5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | PURE MATTE TIN | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7450DP | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
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SI7450DP_06 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
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SI7450DP-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 200 V (D-S) MOSFET |
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SI7450DP-T1-GE3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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SI7451DP | VISHAY |
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Transistor |
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SI7451DP-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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SI7452DP | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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SI7452DP-T1-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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SI7453DP | VISHAY |
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Transistor |
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SI7454CDP-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 8.1 A, 100 V, 0.0305 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS C |
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