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SI7440DP

更新时间： 2024-01-09 00:33:20
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威世 - VISHAY 开关
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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SI7440DP 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.91外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.0065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7440DP 数据手册

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Si7440DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKr  
Package with Low 1.07-mm Profile  
D 100% Rg Tested  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.0065 @ V = 10 V  
21  
19  
GS  
30  
0.008 @ V = 4.5 V  
GS  
APPLICATIONS  
D DC/DC Converters  
D Optimized for “Low-Side” Synchronous  
Rectifier Operation  
PowerPAK SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
S
6
D
5
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si7440DP-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
21  
17  
12  
9
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
60  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
4.3  
5.4  
3.4  
1.6  
1.9  
1.2  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
18  
52  
23  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.0  
1.3  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71623  
S-31728—Rev. B, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7440DP-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 12 A, 30 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
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