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SI7446BDP-T1-E3 PDF预览

SI7446BDP-T1-E3

更新时间： 2024-02-06 17:28:02
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 484K
描述
12A, 30V, 0.0075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

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SI7446BDP-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.0075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：4.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7446BDP-T1-E3 数据手册

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Si7446BDP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
19  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
0.0075 at VGS = 10 V  
0.010 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
30  
17  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PowerPAK® SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
G
4
D
8
D
7
S
D
N-Channel MOSFET  
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information:  
Si7446BDP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7446BDP-T1-GE3 (Lead-(Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
50  
V
VGS  
20  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
19  
15  
12  
9
Continuous Drain Current (TJ = 150°C)a  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
4.0  
4.8  
3.0  
1.6  
1.9  
1.2  
TA = 25°C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
T
A = 70°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
21  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
26  
65  
Maximum Junction-to-Ambienta  
55  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
1.6  
2.0  
Notes  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72554  
S09-1819-Rev. E, 14-Sep-09  
www.vishay.com  
1
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与SI7446BDP-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7446BDP-T1-GE3 VISHAY

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 		12A, 30V, 0.0075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERP
SI7446DP VISHAY

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 		SPICE Device Model Si7446DP
SI7446DP-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7446DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 12 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, POWERPAK, SOP-
SI7447ADP VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7447ADP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 21.5 A, 30 V, 0.0065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPA
SI7447ADP-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
SI7447DP VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7448DP VISHAY

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 		N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7448DP-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 13.4 A, 20 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gen

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