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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 18 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-XDSO-C5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI7414DN-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替  |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7414DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI7415DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7415DN_05 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7415DN_13 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7415DN-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.6 A, 60 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G |
|
| SI7415DN-RC | VISHAY |
获取价格 |
R-C Thermal Model Parameters |
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| SI7415DN-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI7415DN-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7415DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7421DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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