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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.44 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.6 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7421DN-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7421DN-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI7423DN | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7423DN-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7425DN | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SI7425DN-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SI7425DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI742DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7430DP | VISHAY |
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N-Channel 150-V (D-S) WFET |
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| SI7430DP |
获取价格 |
N-Channel 150 V (D-S) MOSFET |
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