是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 0.76 | Samacsys Description: | VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - MOSFET, P CH, 60V, 3.6A, PPAK SO8 |
其他特性: | FAST SWITCHING | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-XDSO-C5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI7415DN-T1-E3 | VISHAY |
类似代替 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7421DN | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI7421DN-T1 | VISHAY |
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TRANSISTOR 6.4 A, 30 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G | |
SI7421DN-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI7421DN-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI7423DN | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI7423DN-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | |
SI7425DN | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI7425DN-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI7425DN-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI742DN | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |