5秒后页面跳转
SI7411DN-T1-E3 PDF预览

SI7411DN-T1-E3

更新时间: 2024-02-09 23:14:49
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI7411DN-T1-E3 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.81Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (Abs) (ID):7.5 A
最大漏极电流 (ID):7.5 A最大漏源导通电阻:0.019 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-XDSO-C5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):3.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SI7411DN-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI7411DN-T1-E3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI7411DN-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7411DN-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7411DN-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页 
Si7411DN  
Vishay Siliconix  
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)  
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case  
2
1
Duty Cycle = 0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.05  
0.02  
Single Pulse  
0.01  
4  
3  
2  
1  
10  
10  
10  
Square Wave Pulse Duration (sec)  
10  
1
Document Number: 72399  
S-40763—Rev. C, 19-Apr-04  
www.vishay.com  
5

与SI7411DN-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7411DN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
SI7413DN VISHAY

获取价格

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7413DN-T1-E3 VISHAY

获取价格

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7414DN VISHAY

获取价格

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7414DN_08 VISHAY

获取价格

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7414DN-T1-E3 VISHAY

获取价格

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7414DN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7415DN VISHAY

获取价格

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7415DN_05 VISHAY

获取价格

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7415DN_13 VISHAY

获取价格

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET