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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7411DN-T1-E3
SI7411DN-T1-E3 PDF预览

SI7411DN-T1-E3

更新时间： 2024-02-26 05:05:53
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威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7411DN-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7411DN-T1-E3 数据手册

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Si7411DN  
Vishay Siliconix  
SPECIFICATIONS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Gate Threshold Voltage  
Gate-Body Leakage  
V
V
= V , I = −300 mA  
−0.4  
−1.0  
V
GS(th)  
DS  
GS  
D
I
V
= 0 V, V = "8 V  
"100  
nA  
GSS  
DS  
GS  
V
= −20 V, V = 0 V  
−1  
−5  
DS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
mA  
DSS  
V
DS  
= −20 V, V = 0 V, T = 85_C  
GS  
J
a
On-State Drain Current  
I
V
DS  
v −5 V, V = −4.5 V  
−30  
A
D(on)  
GS  
V
= −4.5 V, I = −11.4 A  
0.015  
0.020  
0.027  
0.019  
0.025  
0.034  
GS  
D
a
V
= −2.5 V, I = −9.9 A  
Drain-Source On-State Resistance  
r
W
GS  
D
DS(on)  
V
= −1.8 V, I = −2.9 A  
GS  
D
a
Forward Transconductance  
g
35  
S
V
V
= −15 V, I = −11.4 A  
fs  
DS  
D
a
Diode Forward Voltage  
V
SD  
I
S
= −3.0 A, V = 0 V  
−0.8  
−1.2  
GS  
Dynamicb  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Q
27  
3.9  
7
41  
g
Q
Q
V
DS  
= −10 V, V = −4.5 V, I = −11.4 A  
nC  
gs  
gd  
GS  
D
f = 1 MHz  
Gate Resistance  
R
g
5
W
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
t
23  
45  
35  
70  
d(on)  
t
r
V
DD  
= −10 V, R = 10 W  
L
I
D
^ −1 A, V  
= −4.5 V, R = 6 W  
GEN g  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
t
135  
70  
200  
105  
50  
ns  
d(off)  
t
f
Source-Drain Reverse Recovery Time  
t
rr  
I
F
= −3.2 A, di/dt = 100 A/ms  
29  
Notes  
a. Pulse test; pulse width v 300 ms, duty cycle v 2%.  
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.  
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)  
Output Characteristics  
Transfer Characteristics  
30  
30  
25  
20  
15  
10  
5
V
GS  
= 5 thru 2 V  
25  
20  
15  
10  
5
1.5 V  
1 V  
T
= 125_C  
C
25_C  
−55_C  
0
0
0
1
2
3
4
5
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
V
DS  
− Drain-to-Source Voltage (V)  
V
GS  
− Gate-to-Source Voltage (V)  
Document Number: 72399  
S-40763—Rev. C, 19-Apr-04  
www.vishay.com  
2
12345

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与SI7411DN-T1-E3相关器件

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SI7411DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8

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