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SI7405BDN-T1-E3

更新时间： 2024-11-02 18:11:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	577K
描述
TRANSISTOR 16 A, 12 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power

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SI7405BDN-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XDSO-C5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI7405BDN-T1-E3 数据手册

New Product

Si7405BDN

Vishay Siliconix

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free Option Available

TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

- 16^a

0.013 at V_GS= - 4.5 V

0.017 at V_GS= - 2.5 V

0.024 at V_GS= - 1.8 V

RoHS

- 12

46 nC

COMPLIANT

APPLICATIONS

•

Load Switch, PA Switch and Power Switch for Portable

Devices

PowerPAK 1212-8

3.30 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7405BDN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

P-Channel MOSFET

Si7405BDN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 12

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

- 16^a

_C= 25 °C

_C= 70 °C

- 16^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 13.5^{b, c}

- 11^{b, c}

- 40

- 16^a

- 3^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

3.6^{b, c}

2.3^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

°C/W

R_thJC

2.9

3.8

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257).. The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 81 °C/W.

Document Number: 69941

S-81549-Rev. B, 07-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7405BDN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 16 A, 12 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI7405DN	VISHAY	获取价格	Transistor,
SI7405DN-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI7405DN-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7405DN-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI7407DN	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7407DN-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 9.9 A, 12 V, 0.012 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET G
SI7407DN-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7407DN-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7407DN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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