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SI7407DN-T1-GE3

更新时间： 2024-11-02 14:17:55

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	90K
描述
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI7407DN-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.8 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI7407DN-T1-GE3 数据手册

Si7407DN

Vishay Siliconix

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free Option Available

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 15.6

- 13.5

- 11

Available

TrenchFET^®Power MOSFETS: 1.8 V Rated

0.012 at V_GS= - 4.5 V

0.016 at V_GS= - 2.5 V

0.024 at V_GS= - 1.8 V

New Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package with Low 1.07 mm Profile

Ultra-Low R_DS(on)

RoHS*

COMPLIANT

- 12

•

APPLICATIONS

•

Load Switch

PA Switch

Battery Switch

PowerPAK 1212-8

3.30 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7407DN-T1

Si7407DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

P-Channel MOSFET

Si7407DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 12

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

- 15.6

- 11.2

- 9.9

- 7.2

- 30

- 1.3

1.5

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 3.2

3.8

T_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

_A= 85 °C

2.0

0.8

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations^{b, c}

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

°C/W

Maximum Junction-to-Case

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

R_thJC

1.9

2.4

b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 71912

S-80581-Rev. D, 17-Mar-08

www.vishay.com

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SI7407DN-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI7613DN-T1-GE3	VISHAY	功能相似	Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

与SI7407DN-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7409ADN-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 7 A, 30 V, 0.019 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1
SI7409ADN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 7 A, 30 V, 0.019 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI7409DN	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7409DN-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7411DN	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7411DN-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7411DN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
SI7413DN	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7413DN-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7414DN	VISHAY	获取价格	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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