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SI7404DN-T1-GE3

更新时间： 2024-11-02 21:11:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 554K
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SI7404DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.43雪崩能效等级（Eas）：11 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5 A
最大漏极电流 (ID)：8.5 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7404DN-T1-GE3 数据手册

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Si7404DN  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
13.3  
12.4  
10.2  
0.013 at VGS = 10 V  
0.015 at VGS = 4.5 V  
0.022 at VGS = 2.5 V  
•
TrenchFET® Power MOSFET  
30  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
PowerPAK® 1212-8  
•
Li-lon Battery Protection  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
1
D
S
2
S
3
G
4
D
8
D
7
G
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7404DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
N-Channel MOSFET  
Si7404DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
12  
V
VGS  
TA = 25 °C  
13.3  
10.6  
8.5  
6.8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IAS  
EAS  
IS  
40  
15  
11  
Single Avalanche Current  
0.1 mH  
Single Avalanche Energy (Duty Cycle 1 %)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
mJ  
A
3.2  
3.8  
2.0  
1.3  
1.5  
0.8  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
W
PD  
T
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendationsb,c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
33  
81  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
65  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
RthJC  
1.9  
2.4  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed cop-  
per (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71658  
S11-2045-Rev. G, 17-Oct-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...12

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SI7404DN-T1-GE3 替代型号

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