SI7404DN-T1

更新时间： 2024-11-02 12:27:59

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威世 - VISHAY		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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12页	559K
描述
N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET

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SI7404DN-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI7404DN-T1 数据手册

Si7404DN

Vishay Siliconix

N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Available

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)

13.3

12.4

10.2

0.013 at V_GS= 10 V

0.015 at V_GS= 4.5 V

0.022 at V_GS= 2.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

PowerPAK^®1212-8

•

Li-lon Battery Protection

3.30 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7404DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

Si7404DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_A= 25 °C

13.3

10.6

8.5

6.8

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

T_A= 70 °C

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

E_AS

I_S

Single Avalanche Current

0.1 mH

Single Avalanche Energy (Duty Cycle 1 %)

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

3.2

3.8

2.0

1.3

1.5

0.8

T_A= 25 °C

_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations^b,c

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

R_thJC

1.9

2.4

b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed cop-

per (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is

not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 71658

S11-2045-Rev. G, 17-Oct-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SI7404DN-T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI7404DN-T1-GE3	VISHAY	功能相似	Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SI7404DN-T1-E3	VISHAY	功能相似	N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET

与SI7404DN-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7404DN-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7404DN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SI7405BDN	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7405BDN-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 16 A, 12 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7405BDN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 16 A, 12 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI7405DN	VISHAY	获取价格	Transistor,
SI7405DN-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI7405DN-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7405DN-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI7407DN	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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