是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 雪崩能效等级(Eas): | 30 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 17.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XDSO-C5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI7388DP-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
N-CH REDUCED QG, FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel | |
SI7388DP-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7392DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET | |
SI7392DP-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET | |
SI7392DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 A, 30 V, 0.00975 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, | |
SI7392DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 A, 30 V, 0.00975 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM | |
SI7401DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI7401DN | ADI |
获取价格 |
Thermoelectric Cooler Controller | |
SI7401DN-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
SI7401DN-RC | VISHAY |
获取价格 |
R-C Thermal Model Parameters | |
SI7401DN-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor | |
SI7401DN-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |