SI7392DP-T1

更新时间： 2024-11-01 22:21:51

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威世 - VISHAY		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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5页	58K
描述
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET

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SI7392DP-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI7392DP-T1 数据手册

Si7392DP

Vishay Siliconix

N-Channel Reduced Q_g, Fast Switching WFETr

FEATURES

D Extremely Low Q_gdWFET Technology for

PRODUCT SUMMARY

Low Switching Losses

D TrenchFETr Power MOSFET

D New Low Thermal Resistance PowerPAKr

Package with Low 1.07-mm Profile

D 100% R_gTested

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.00975 @ V = 10 V

0.01375 @ V = 4.5 V

APPLICATIONS

D High-Side DC/DC Conversion

− Notebook

− Server

PowerPAK SO-8

6.15 mm

5.15 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

Ordering Information: Si7392DP-T1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current

"50

Continuous Source Current (Diode Conduction)

4.1

1.5

1.8

1.1

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

3.2

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

3.5

4.5

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72165

S-41427—Rev. D, 26-Jul-04

www.vishay.com

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