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SI4878DY

更新时间： 2024-11-16 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 46K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SI4878DY 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.00475 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4878DY 数据手册

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Si4878DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
D Optimized for “Low Side” Synchronous  
Rectifier Operation  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
0.00475 @ V = 10 V  
20  
17  
GS  
30  
0.0065 @ V = 4.5 V  
GS  
D DC/DC Converters  
D High Frequency DC/DC Converters  
D Synchronous Rectifiers  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4878DY  
Si4878DY-T1 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
20  
15  
13  
10  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
60  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
2.9  
3.5  
2.2  
1.3  
1.6  
1
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
29  
67  
13  
35  
80  
16  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71857  
S-31726—Rev. B, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4878DY-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SI4880DY VISHAY

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SI4880DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4880DY-T1-GE3 VISHAY

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