SI4503DY

更新时间： 2024-11-19 21:53:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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7页	63K
描述
N- and P-Channel MOSFET

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SI4503DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.27 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4503DY 数据手册

Si4503DY

Vishay Siliconix

New Product

N- and P-Channel MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)

(

ꢀ

)

I_D(A)

0.018 @ V = 10 V

8.8

7.2

N-Channel

(Channel 2)

0.027 @ V = 4.5 V

D Level Shift

0.042 @ V = –4.5 V

–4.5

–3.7

D Load Switch

P-Channel

–8

(Channel 1)

0.060 @ V = –2.5 V

SO-8

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

N-Channel

P-Channel

Parameter

Symbol

Unit

10 sec. Steady State 10 sec. Steady State

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–8

"20

= 25_C

= 70_C

8.8

7.0

6.5

5.2

–4.5

–3.6

–3.8

–3.0

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

–20

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.0

1.1

1.25

0.8

–1.2

1.38

0.88

0.9

1.0

= 25_C

= 70_C

2.27

1.45

Maximum Power Dissipation

0.64

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

N-Channel

P- Channel

Typ

Max

Typ

Max

Parameter

Symbol

Unit

t v 10 sec

100

125

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

Steady-State

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 10 sec

Document Number: 71770

S-20894—Rev. B, 17-Jun-02

www.vishay.com

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