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SI3552DV-E3

更新时间： 2024-09-27 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 82K
描述
TRANSISTOR 2500 mA, 30 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3552DV-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.16配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：0.105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3552DV-E3 数据手册

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_C/W  
Si3552DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.105 @ V = 10 V  
"2.5  
"2.0  
"1.8  
"1.2  
GS  
N-Channel  
P-Channel  
30  
0.175 @ V = 4.5 V  
GS  
0.200 @ V = –10 V  
GS  
–30  
0.360 @ V = –4.5 V  
GS  
D
1
S
2
TSOP-6  
Top View  
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
G
2
G
1
3 mm  
5
4
S
1
D
2
2.85 mm  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
30  
–30  
"20  
"1.8  
"1.2  
"7  
DS  
GS  
V
"20  
"2.5  
"2.0  
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a, b  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
1.05  
–1.05  
T
= 25_C  
= 70_C  
1.15  
0.73  
A
a, b  
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
93  
130  
75  
110  
150  
90  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
Maximum Junction-to-Lead  
R
thJL  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 5 sec  
Document Number: 70971  
S-61831—Rev. A, 23-Aug-99  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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