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SI2304DS,215

更新时间: 2024-10-14 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 93K
描述
SI2304DS - N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-236 3-Pin

SI2304DS,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:7.15
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.7 A最大漏极电流 (ID):1.7 A
最大漏源导通电阻:0.19 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):56 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.83 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SI2304DS,215 数据手册

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SI2304DS  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
Rev. 01 — 17 August 2001  
Product data  
M3D088  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology  
Product availability:  
SI2304DS in SOT23.  
2. Features  
TrenchMOS™ technology  
Very fast switching  
Subminiature surface mount package.  
3. Applications  
Battery management  
High speed switch  
Low power DC to DC converter.  
4. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT23, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
3
d
s
2
source (s)  
drain (d)  
3
g
1
2
MBB076  
Top view  
MSB003  
SOT23  
1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.  
 
 
 

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SOT-23
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