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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 7.15 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 56 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.83 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI2304BDS-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似  |
TRANSISTOR 2600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AA, HALOGEN FREE AND |
|
| IRLML2030TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLML0030TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2304DS-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI2304-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI2304-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| SI2305 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
| SI2305 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2305 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2305A | UMW |
获取价格 |
漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4A;栅极-源极阈 |
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| SI2305ADS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET |
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| SI2305ADS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2305ADS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET |
|
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